快閃記憶體晶片被汙染超6.5EB,多個大廠受牽扯
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快閃記憶體晶片被汙染超6.5EB,多個大廠受牽扯,前不久西數、鎧俠位於日本的快閃記憶體工廠遭遇材料汙染事故,導致大量快閃記憶體報廢,快閃記憶體晶片被汙染超6.5EB,多個大廠受牽扯。
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據外媒報道,供應鏈透露,美光通知 NAND 晶片合約、現貨價上漲。其中,合約價上漲 17% 至 18%,現貨價漲幅達 25% 以上,這也是目前已知最高的漲價幅度!
業內人士指出,威騰、鎧俠事件爆發後,同行漲價或暫停報價在預期內,但原本市場預期漲價在15%左右,美光漲幅超乎預期,現貨價更大漲逾25%,凸顯相關事件影響比預期大,後續漲價風潮恐一波接一波出現。
據瞭解,西部資料及其生產合作夥伴鎧俠上週表示,由於快閃記憶體晶片生產材料受到汙染,影響了日本兩家工廠的生產。西部資料2月14日向客戶釋出通知,宣佈立即上調所有 Flash 產品價格。但漲價幅度並未透露。
報道稱,群聯此前已傳出提高報價 15% 的訊息。美光 16 日並未正面迴應大幅提高 NAND 晶片報價的訊息,強調該公司運營未受工廠汙染事件影響,將持續為客戶提供最佳解決方案,與客戶簽訂長期協議的策略有助於在產業不確定時期讓客戶對供應有信心。
據之前報道,本月9日由於用於生產快閃記憶體晶片的材料受到汙染,導致西部資料和鎧俠位於日本四日市的工廠和北上工廠的合資工廠停產,大量的晶圓報廢,預計最快需等到 2022 年 3 月中才能恢復正常生產。西部資料當時就對外表示,這一事故將使其 3D NAND 快閃記憶體的產量至少減少 6.5EB(該資料尚不包含來自鎧俠的損失)。
業界人士透露,由於合約價是每月商議,美光此次漲價幾乎是實時生效,預計3月初可全面反映。
鎧俠、西數兩家的快閃記憶體產能佔全球NAND晶片市佔總和高達32%以上,直逼龍頭三星。美光現為全球第五大NAND晶片供應商,市佔率超過10%。汙染事件之後,就有訊息稱群聯第一時間調漲模組報價15%,其他廠商則暫停報價。
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前不久西數、鎧俠位於日本的快閃記憶體工廠遭遇材料汙染事故,導致大量快閃記憶體報廢,之前的預估是6.5EB容量的快閃記憶體受影響,不過現在來看損失遠超於此,快閃記憶體晶片最快4月份就要缺貨了。
西數及鎧俠其位於日本四日市的工廠和北上工廠的.合資工廠遭到了材料汙染停產,只不過官方一直沒有給出細節,此前傳聞的6.5EB快閃記憶體損失也只是西數預估的數量。
現在儲存行業的公司宇瞻表示,受汙染的主要在蝕刻材料上,導致整批晶片報廢,從生產流程與瑕疵問題來看,受影響的NAND 晶片產出超出原先預期的6.5EB,4月開始基本上就沒有東西能產出、或僅少量產出。
由於西數及鎧俠分別是全球第四、第二大NAND供應商,這次的汙染事故給業界帶來的影響相當大,3月份快閃記憶體價格就會上揚,隨著Q3季度旺季的來臨,Q2季度價格也會上漲,導致上半年快閃記憶體面臨缺貨。
在事故發生之後,西數、美光等廠商已經開始漲價,包括合約及現貨價,漲幅傳聞超過25%。
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前不久的西數、鎧俠位於日本的快閃記憶體工廠遭遇的汙染事故正在一步步改變快閃記憶體及SSD市場,西數、美光等廠商已經漲價10%甚至更多,下游的SSD廠商也表示快閃記憶體很快就會供不應求,價格要急漲。
中國臺灣媒體報道,儲存廠商宇瞻總經理張家騉日前在財報會上表示,DRAM為緩慢走升,NAND flash在西數/鎧俠事件後,第二季會急速轉為供不應求,缺口會擴大很快、價格將急漲,目前看來,產業正向、需求成長,第一季是樂觀看待。張家騉表示,本來今年大家看記憶體,無論是DRAM或NAND Flash都是緩跌,大家都只備剛好或安全庫存,但因近期的突發狀況,DRAM反彈的時間提早、NAND Flash更是變為將供不應求,所以現在公司會快速買庫存,將庫存水位往上升,滿足客戶需求。
2月初,西部資料及其合作伙伴鎧俠表示:用於快閃記憶體晶片生產的材料汙染,影響了日本兩家工廠的生產。
鎧俠表示,受影響的產品是一種名為3D flash的新型晶片,而傳統2D NAND快閃記憶體的發貨預計不會受到影響。
西數和鎧俠表示,正努力使橫海市和北上市的工廠儘快恢復正常運營。但此宣告並沒有給出何時恢復生產的詳細日期。
西數也沒有給出明確的損失,之前的說法是損失6.5EB快閃記憶體,但這肯定不是所有的損失,有分析稱算上鎧俠的那部分快閃記憶體損失,影響的快閃記憶體晶片總量大概是16EB,相當於全球一季市場消費量的約10%,這對全球快閃記憶體供應勢必會有很大影響。
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